세계 최대용량 V낸드부터 신개념 데이터 저장방식 적용한 'Key Value SSD' 소개
[한국정책신문=나원재 기자] 삼성전자가 8일(현지시간) 미국 산타클라라 컨벤션 센터에서 열린 ‘플래시 메모리 서밋(Flash Memory Summit) 2017’에서 세계 최대용량 V낸드와 차세대 솔리드스테이트드라이브(SSD) 솔루션 등을 선보였다. 플래시 메모리 서밋은 매년 8월 8일부터 10일까지 미국서 개최하는 세계 최대 플래시 메모리 업계 콘퍼런스다.
회사는 이번 콘퍼런스에서 세계 최대 용량의 1테라바이트(Tb) V낸드와 서버 시스템의 집적도를 향상시키는 ‘NGSFF(Next Generation Small Form Factor) SSD’, 기존 SSD 대비 성능을 향상시킨 ‘Z-SSD’, 신개념 데이터 저장방식을 적용한 ‘키밸류(Key Value) SSD’ 등 신기술을 공개했다.
1Tb 낸드는 데이터를 저장하는 3차원 셀(Cell) 용량을 기존 512Gb에서 2배 늘어난 셈이다. 회사는 1Tb 낸드는 16단을 적층해 하나의 단품 패키지로 2TB를 만들 수 있어, SSD의 용량을 획기적으로 늘릴 수 있다고 설명했다. 1Tb V낸드가 적용된 SSD 제품은 내년에 본격 출시될 예정이다.
회사는 서버 시스템 내 저장장치의 공간 활용도를 극대화 할 수 있는 신규 SSD 규격인‘NGSFF SSD’도 발표했다. ‘NGSFF SSD’로 대체하면 동일 시스템 공간 기준 저장용량을 4배까지 향상 시킬 수 있다고 회사는 설명했다. 이와 관련, 회사는 16TB NGSFF SSD 36개를 탑재한 576TB의 레퍼런스 시스템(1U)을 공개했다.
회사는 NGSFF SSD를 4분기부터 양산하고, 내년 1분기에 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 표준화를 완료해 데이터센터와 다양한 서버 이용자들이 더욱 효율적으로 시스템을 구축할 수 있게 할 예정이다.
한편 회사는 이번 콘퍼런스에서 Z-SSD를 공개하고 최적화된 동작회로를 구성해 성능을 극대화한 하이엔드 SSD제품으로, 기존 NVMe SSD 대비 읽기 응답속도는 7배, 읽기와 쓰기를 반복하는 시스템 환경에서는 최대 12배까지 속도를 끌어올릴 수 있다고 설명했다.
회사는 실시간 빅데이터 분석, 고성능 서버용 캐시 등 빠른 응답성이 요구되는 분야에 Z-SSD는 최적의 솔루션이 될 것이라고 강조했다.
이와 함께 공개된 Key Value SSD는 시스템의 데이터 입출력 속도를 높일 수 있고, SSD의 수명을 늘릴 수 있다고 회사는 전했다.
진교영 삼성전자 메모리사업부장은 “지속적인 V낸드 솔루션 개발을 통해, 고객 가치를 극대화 하고, 향후 인공지능(AI), 빅데이터 등 미래 첨단 반도체 수요에 선제적으로 대응하겠다”고 밝혔다.