SK하이닉스 지분참여 도시바, 삼성전자 기술 사용

[한국정책신문=최인철 기자]'한미일 반도체 기업의 기묘한 동침'

일본 도시바 메모리와 미국 웨스턴 디지털(Western Digita, WD)연합이 3D NAND플래시 메모리 제품 양산에 삼성전자의 3D NAND 셀 기술을 채택하고 있는 것으로 밝혀졌다.

12일 일본 전문지인 임프레스와치에 따르면 도시바 메모리는 2007년에 국제 학회 VLSI토론회에서 3D NAND플래시 메모리 셀 기술을 처음 발표하고 'BiCS(Bit-Cost Scalable)'을 3D NAND플래시 기술 브랜드 이름으로 사용했다. 도시바와 WD는 3D NAND기술이 등장하기 이전부터 NAND플래시 메모리의 공동 개발과 공동 양산에서 연합을 구성했다. 양사는 같은 구조의 플래시 메모리를 제조하는 관계다.

삼성전자가 개발하고 학회에서 발표한 3D NAND 셀 기술은 'TCAT(Terabit Cell Array Transistor)'로 불린다. 기본 구조는 BiCS와 다르지 않다. TCAT에는 '게이트 리플레이스먼트(Gate Replacement)', '게이트 라스트(Gate Last)'라는 공정을 독자개발했다. 삼성전자는 3D NAND플래시 기술을 'V-NAND'로 브랜드화했다. V-NAND기술은 TCAT기술을 기본으로 한다. BiCS 기술에 비하면 프로세스는 복잡하지만 워드선(게이트 전극)의 저항이 낮아 플래시 메모리 성능 향상에 크게 기여한다.
도시바-WD연합이 3D NAND플래시 메모리 제품에 TCAT와 유사한 메모리 셀 구조를 채용하고 있다는 것이 최근 개최된 국제 학회 IEDM에서 밝혀졌다. 도시바-WD연합이 삼성전자의 기술을 채용한다는 것은 3년전부터 플래시 메모리 업계에 돌고 있던 소문이었다고 한다. 반도체칩 분석 서비스 기업인 테크사이츠(TechInsights)은 TCAT와 유사한 메모리 셀 기술을 도시바-WD연합이 3D NAND플래시 제품에 채용하고 있다고 밝혔다.

SK하이닉스는 삼성전자와 경쟁관계인데다가 도시바 메모리의 주요 주주로 참여하고 있다. 삼성전자의 주요 경쟁기업들이 경쟁자의 기술을 드러나지 않게 사용해왔다는 묘한 형세다.

도시바 메모리칩. 사진=키옥시아(옛 도비사메모리) 홈페이지

 

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